BC857BW.115, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SC703

Корпус SC703, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 220, Коэффициент усиления по току, max 475

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1610711

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.046

Base Product Number

BC857 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power - Max

200mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-323

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum DC Collector Current

100mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Pd - Power Dissipation

200mW

Максимальное напряжение коллектор-база

-50 V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

PNP

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1мм

Длина

2.2мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

220 at 2 mA at 5 V

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

100 mA

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-323-3

Ширина

1.35мм

Другие названия товара №

BC857BW T/R

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

220 at 2 mA at 5 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-600 mV

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

200 mW

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

400 mV

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 V

Число контактов

Тип корпуса

SOT-323 (SC-70)

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

850 мВ

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

125

Automotive Standard

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet , pdf , 370 КБ
Datasheet , pdf , 219 КБ
Datasheet , pdf , 158 КБ

BC857BW.115 - характеристики, поставщики

Последняя цена 2 руб.

Техническая документация