ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFR120NTRPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFR120NTRPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFR120NTRPBF
Последняя цена
30 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 2000, корпус: TO252, АБ
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 210 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1610698
Технические параметры
Вес, г
0.544
Крутизна характеристики S,А/В
2.7
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
210
Температура, С
-55…+175
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 391 КБ