ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFR4105TRPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFR4105TRPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFR4105TRPBF
Последняя цена
33 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 2000, корпус: TO252, АБ
MOSFET: N, 55 В, Q1: N, 45mΩ / 10V, 25 А
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 27 А, Сопротивление открытого канала (мин) 45 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1610697
Технические параметры
Вес, г
0.589
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
27A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
68W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
45mО© @ 16A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
55V
Vgs - Gate-Source Voltage
4V @ 250uA
Крутизна характеристики S,А/В
6.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
45
Температура, С
-55…+175
Техническая документация
Datasheet IRFR4105 , pdf
, 240 КБ
