ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PZT2222A.115 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
PZT2222A.115
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PZT2222A.115
Последняя цена
10 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO261
Корпус TO261, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1.15 Вт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1610651
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.264
Base Product Number
PZT2222 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
600mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
300MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Power - Max
1.15W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-223
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40V
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum DC Collector Current
600mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Pd - Power Dissipation
1.15W
Максимальное напряжение коллектор-база
75 V
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
NPN
Размеры
1.7 x 6.7 x 3.7мм
Pd - рассеивание мощности
1.15 W
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.7мм
Длина
6.7мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
35
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
800 mA
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
75 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Непрерывный коллекторный ток
600 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-223-4
Ширина
3.7мм
Другие названия товара №
PZT2222A T/R
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
35 at 0.1 mA at 10 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
300 MHz
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
1,15 Вт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 В
Максимальный пост. ток коллектора
600 mA
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
300 MHz
Число контактов
4
Тип корпуса
SOT-223 (SC-73)
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2 В
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
35
Техническая документация
Datasheet PZT2222A.115 , pdf
, 187 КБ
Datasheet , pdf
, 336 КБ