IRF8010PBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 60 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

MOSFET, N, 100V, 80A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 100V Current, Id Cont 80A Resistance, Rds On 0.015ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 320A Power Dissipation 260W Power, Pd 260W Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 15ohm Thermal Resistance, Junction to Case A 0.57°C/W Voltage, Vds Max 100V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 80 А, Сопротивление открытого канала (мин) 15 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1610616

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.679

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Package Type

TO-220AB

Максимальное рассеяние мощности

260 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.69мм

Высота

15.24мм

Transistor Material

Количество элементов на ИС

Length

10.54mm

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

15 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

81 nC

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Base Product Number

IRF8010 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

80A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3830pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

260W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 45A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Длина

10.54мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

61 нс

Тип корпуса

TO-220AB

Размеры

10.54 x 4.69 x 15.24мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Single

Типичное время задержки включения

15 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

81 нКл

Типичная входная емкость при Vds

3830 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

80A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

260W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Power Dissipation

260 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.69mm

Height

15.24mm

Maximum Drain Source Resistance

15 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

Datasheet IRF8010PBF , pdf , 141 КБ
Datasheet , pdf , 134 КБ

IRF8010PBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 60 руб.

Техническая документация