ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STN4NF03L - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STN4NF03L
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STN4NF03L
Последняя цена
20 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOT223
MOSFET силовой транзистор - [SOT-223]; Тип: N; Uси: 30 В; Iс(25°C): 4 А; Rси(вкл): 50 мОм; @Uзатв(ном): 4...7 В; Uзатв(макс): 15 В
Корпус SOT-223, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 50 мОм
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1610556
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.221
Максимальный непрерывный ток стока
6.5 A
Максимальное рассеяние мощности
3,3 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
3.5мм
Высота
1.8мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
50 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Pin Count
4
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
6.5мм
Серия
STripFET
Типичное время задержки выключения
35 ns
Тип корпуса
SOT-223
Размеры
6.5 x 3.5 x 1.8мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
11 ns
Производитель
STMicroelectronics
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Число контактов
3+Tab
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
6,5 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
330 pF@ 25 V
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 V, +16 V
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single Dual Drain
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant with Exemption
Lead Shape
Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)
6.5
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
50@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)
30
Maximum Gate Source Voltage (V)
±16
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
3300
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Part Status
Active
PCB changed
3
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
SOT
Supplier Package
SOT-223
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
330@25V
HTS
8541.29.00.95
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
6.5@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
6.5
Typical Fall Time (ns)
22
Typical Rise Time (ns)
100
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
35
Typical Turn-On Delay Time (ns)
11
Automotive
No
Military
No
Package Height
1.8(Max)
Package Length
6.5
Package Width
3.5
Tab
Tab
Process Technology
STripFET II
Техническая документация
Datasheet STN4NF03L , pdf
, 214 КБ
Datasheet , pdf
, 229 КБ
