STP80NF10, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 90 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 80 А, Сопротивление открытого канала (мин) 15 мОм

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1610311

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.633

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.6мм

Высота

9.15мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

15 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.4мм

Серия

STripFET II

Типичное время задержки выключения

116 нс

Тип корпуса

TO-220

Размеры

10.4 x 4.6 x 9.15мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

26 нс

Производитель

STMicroelectronics

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

135 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

5500 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

80A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

300W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 578 КБ

STP80NF10 - характеристики, поставщики

Последняя цена 90 руб.

Техническая документация