ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCP51.115 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BCP51.115
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCP51.115
Последняя цена
8 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO261
Транзисторы PNP общего назначения, Nexperia
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1610256
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.265
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Type
PNP
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
145 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
6.7mm
Maximum Collector Base Voltage
45 V
Transistor Configuration
Single
Brand
Nexperia
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Package Type
SOT-223 (SC-73)
Maximum Power Dissipation
1 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
3.7mm
Maximum DC Collector Current
1 A
Height
1.7mm
Pin Count
4
Dimensions
1.7 x 6.7 x 3.7mm
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Minimum DC Current Gain
40
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Pd - Power Dissipation
1W
Pd - рассеивание мощности
1000 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.7 mm
Длина
6.7 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
63 at 5 mA at 2 V, 63 at 150 mA at 2 V, 40 at 500
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
1 A
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
45 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-223-4
Ширина
3.7 mm
Другие названия товара №
BCP51 T/R
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
63 at 5 mA at 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
145 MHz
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 298 КБ
BCP51_BCX51_BC51PA , pdf
, 231 КБ
Datasheet , pdf
, 789 КБ