BC857B.215, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 220, Коэффициент усиления по току, max 475

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1610233

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.029

Base Product Number

BC857 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

250mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.65 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

100 MHz

Length

3мм

Maximum Collector Base Voltage

50 V

Brand

Nexperia

Maximum Collector Emitter Voltage

45 V

Package Type

SOT-23 (TO-236AB)

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Maximum DC Collector Current

100 mA

Pin Count

Dimensions

1 x 3 x 1.4mm

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Minimum DC Current Gain

220

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Pd - Power Dissipation

250mW

Конфигурация транзистора

Одинарный

Pd - рассеивание мощности

250 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1мм

Длина

3 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

220 at 2 mA, 5 V

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.2 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.4mm

Другие названия товара №

933589760215

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

220 at 2 mA, 5 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Технология

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

250 mW

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

0.85 V

Техническая документация

Транзисторы кт3101-3130 , pdf , 135 КБ
BC856-860 , pdf , 63 КБ
BC856_BC857_BC858 , pdf , 159 КБ
Datasheet , pdf , 202 КБ
Datasheet , pdf , 206 КБ
BC856 BC857 BC858 DATASHEET , pdf , 80 КБ

BC857B.215 - характеристики, поставщики

Последняя цена 2 руб.

Техническая документация