ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSC039N06NSATMA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BSC039N06NSATMA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BSC039N06NSATMA1
Последняя цена
87 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 5000, корпус: PGTDSON8, АБ
TDSON 8/MV POWER MOS
Корпус PGTDSON8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 100 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3.9 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1610023
Технические параметры
Вес, г
0.228
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
TDSON
Transistor Material
Si
Length
6.1mm
Brand
Infineon
Series
OptiMOS 5
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
27 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Power Dissipation
69 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
5.35mm
Height
1.1mm
Maximum Drain Source Resistance
5.9 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single Quad Drain Triple Source
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant with Exemption
Lead Shape
No Lead
Maximum Continuous Drain Current (A)
100
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
3.9@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)
60
Maximum Gate Source Voltage (V)
±20
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
2500
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Part Status
Active
PCB changed
8
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
SON
Supplier Package
TDSON EP
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
2000@30V
Forward Diode Voltage
1.2V
Forward Transconductance
85s
Dimensions
6.1 x 5.35 x 1.1mm
Typical Turn-On Delay Time
12 ns
Typical Turn-Off Delay Time
20 ns
Category
Power MOSFET
Typical Input Capacitance @ Vds
2000 pF @ 30 V
HTS
8541.29.00.95
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
27@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
27
Typical Fall Time (ns)
7
Typical Rise Time (ns)
12
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
20
Typical Turn-On Delay Time (ns)
12
Automotive
No
Military
No
Package Height
1
Package Length
5.15
Package Width
5.9
Process Technology
OptiMOS
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
2.8(Typ)
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
100
Maximum IDSS (uA)
1
Техническая документация
Datasheet BSC039N06NSATMA1 , pdf
, 559 КБ
