BSS138PW.115, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 4 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SC703

Тип упаковки-Tape and Reel (лента в катушке; Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 320 мА
Корпус SC703, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 320 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 1.6 Ом

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1609866

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.043

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

SOT-323 (SC-70)

Transistor Material

Length

2.2мм

Brand

Nexperia

Series

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOSв„ў ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

0.72 nC @ 4.5 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Base Product Number

BSS138 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

320mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.8nC @ 4.5V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TA)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power Dissipation (Max)

260mW (Ta), 830mW (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 300mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-323

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

320 mA

Pd - рассеивание мощности

310 mW

Qg - заряд затвора

0.72 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.6 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

900 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

3 ns

Время спада

4 ns

Другие названия товара №

934064987115

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel Trench MOSFET

Типичное время задержки выключения

9 ns

Типичное время задержки при включении

2 ns

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-323-3

Продукт

MOSFET Small Signal

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.9V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

320 mA

Maximum Power Dissipation

310 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.35mm

Height

1мм

Maximum Drain Source Resistance

1.6 Ω

Maximum Drain Source Voltage

60 В

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Квалификация

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet BSS138PW,115 , pdf , 900 КБ
Datasheet BSS138PW,115 , pdf , 333 КБ
Datasheet BSS138PW.115 , pdf , 714 КБ

BSS138PW.115 - характеристики, поставщики

Последняя цена 4 руб.

Техническая документация