Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247, АБ
MOSFET, N-CH, 650V, 75A, TO-247-3
Меньше корпус - больше удельная мощность
Ранее R DS(on) = 45 мОм имели приборы серии CoolMOS™ CP в корпусе TO-247 (IPW60R045CP), сегодня такое же сопротивление имеют приборы серии CoolMOS™ C7 в корпусе TO-220 (IPP65R045C7). CoolMOS™ C7 является мировым лидером по сопротивлению открытого канала в корпусе TO-247. По сравнению с ближайшим конкурентом сопротивление снижено на 34%. А в корпусах TO-220/D2PAK R DS(on) на 29% меньше, чем у ближайшего конкурента.
Наряду с повышением КПД, снижение значения R DS(on) означает повышение удельной мощности с возможностью использования новых корпусов меньших размеров.
Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 75 А, Сопротивление открытого канала (мин) 19 мОм
