IRFB7787PBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 39 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 75 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 76 А, Сопротивление открытого канала (мин) 8.4 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1609814

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.619

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Максимальный непрерывный ток стока

76 A

Package Type

TO-220AB

Максимальное рассеяние мощности

125 W

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.83мм

Высота

16.51мм

Количество элементов на ИС

Length

10.67мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Series

HEXFETВ®, StrongIRFETв„ў ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

8,4 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

75 V

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

73 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Прямое напряжение диода

1.2V

Base Product Number

IRFB7787 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

76A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

109nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4020pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

125W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.4mOhm @ 46A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.7V @ 100ВµA

Длина

10.67мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

51 нс

Тип корпуса

TO-220AB

Размеры

10.67 x 4.83 x 16.51мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

11 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

73 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

4020 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Maximum Power Dissipation

125 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Drain Source Voltage

75 В

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Прямая активная межэлектродная проводимость

154s

Forward Diode Voltage

1.2V

Техническая документация

irfs7787pbf , pdf , 924 КБ
Datasheet , pdf , 948 КБ

IRFB7787PBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 39 руб.

Техническая документация