BSS225H6327FTSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 21 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: SOT89, АБ

Полевые МОП-транзисторы Infineon SIPMOS® с N-каналом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1609735

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-89

Рассеиваемая Мощность

1Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

600В

Непрерывный Ток Стока

90мА

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

28Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

1.9В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.129

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

90 мА

Максимальное рассеяние мощности

5 W

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

2.5мм

Высота

1.5мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Series

SIPMOSВ® ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

45 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Pin Count

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

BSS225 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

90mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.8nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

131pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-243AA

Power Dissipation (Max)

1W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45Ohm @ 90mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-SOT89

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 94ВµA

Id - непрерывный ток утечки

90 mA

Pd - рассеивание мощности

1 W

Qg - заряд затвора

5.8 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

28 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.3 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

38 ns

Время спада

41 ns

Длина

4.5мм

Другие названия товара №

BSS225 H6327 SP001047644

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

50 mS

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

SIPMOS

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

62 нс

Типичное время задержки при включении

14 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-89-3

Тип корпуса

SOT-89

Размеры

4.5 x 2.5 x 1.5мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

14 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

2.3V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.3V

Число контактов

Категория

Малый сигнал

Типичный заряд затвора при Vgs

3,9 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

99 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Maximum Power Dissipation

1 Вт

Width

2.5мм

Height

1.5мм

Maximum Drain Source Resistance

45 Ω

Maximum Drain Source Voltage

600 В

Channel Mode

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.3V

Техническая документация

Datasheet BSS225H6327FTSA1 , pdf , 450 КБ
Datasheet BSS225H6327FTSA1 , pdf , 458 КБ

BSS225H6327FTSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 21 руб.

Техническая документация