ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SA1987-O[Q] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
2SA1987-O[Q]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2SA1987-O[Q]
Последняя цена
260 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 100, корпус: TO3PL
Корпус TO3PL
Информация
Производитель
Toshiba
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1609716
Технические параметры
Вес, г
9.3
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 В
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Brand
Toshiba
Maximum Power Dissipation
180 Вт
Width
5.2мм
Максимальное напряжение коллектор-база
230 V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип транзистора
PNP
Размеры
26 x 20.5 x 5.2mm
Высота
26мм
Длина
20.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
230 V
Максимальный пост. ток коллектора
15 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
30 MHz
Число контактов
3
Тип корпуса
TO-3PL
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
80