ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFB7530PBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFB7530PBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFB7530PBF
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 195 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1609659
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
2.647
Максимальный непрерывный ток стока
195 A
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.83мм
Высота
16.51мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
2 MΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Структура
N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
195
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
375
Корпус
TO220AB
Длина
10.67мм
Серия
StrongIRFET
Типичное время задержки выключения
172 нс
Тип корпуса
TO-220AB
Размеры
10.67 x 4.83 x 16.51мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
52 ns
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
274 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
13703 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Крутизна характеристики S,А/В
242
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
3.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
2
Температура, С
-55...+175
Особенности
StrongIRFET
Техническая документация
irfs7530pbf Datasheet , pdf
, 655 КБ
Datasheet , pdf
, 656 КБ
