ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP80NF70 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP80NF70
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP80NF70
Последняя цена
63 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220
Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 68 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 98 А, Сопротивление открытого канала (мин) 9.8 мОм
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1609657
Технические параметры
Вес, г
2.594
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
98A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
190W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
9.8mО© @ 40A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
68V
Vgs - Gate-Source Voltage
4V @ 250uA
Техническая документация
Datasheet STP80NF70 , pdf
, 422 КБ