BSS169H6327XTSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 12 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

N-Ch 100V 0.17A 0.36W 6R SOT23
Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 170 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 6 Ом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1609527

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.034

Максимальный непрерывный ток стока

170 мА

Максимальное рассеяние мощности

360 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.3мм

Высота

1мм

Количество элементов на ИС

Series

SIPMOSВ® ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

12 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Опускание

Тип канала

Base Product Number

BSS169 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

170mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

0V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.8nC @ 7V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

68pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

360mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.8V @ 50ВµA

FET Feature

Depletion Mode

Id - непрерывный ток утечки

90 mA

Pd - рассеивание мощности

360 mW

Qg - заряд затвора

2.1 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

6 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.9 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

2.7 ns

Время спада

27 ns

Длина

2.9мм

Другие названия товара №

BSS169 BSS169H6327XT H6327 SP000702572

Канальный режим

Depletion

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

0.1 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SIPMOS

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

11 ns

Типичное время задержки при включении

2.9 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

PG-SOT-23-3

Продукт

MOSFET Small Signal

Тип

SIPMOS Small Signal Transistor

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

2.9 x 1.3 x 1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

2,9 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

1.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.9V

Число контактов

Категория

Малый сигнал

Типичный заряд затвора при Vgs

0,12 нКл при 7 В

Типичная входная емкость при Vds

51 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Квалификация

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet , pdf , 139 КБ
BSS169H6327XTSA1 , pdf , 398 КБ
Datasheet BSS169H6327XTSA1 , pdf , 413 КБ
Datasheet BSS169H6327XTSA1 , pdf , 397 КБ

BSS169H6327XTSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 12 руб.

Техническая документация