BSP296NH6327XTSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 37 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: PGSOT2234, АБ

sot223-4/N-Channel Small Signal MOSFETs (20V...800V)
Корпус PGSOT2234, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 600 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1609503

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.196

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

1.2 A

Package Type

SOT-223

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.5мм

Высота

1.6мм

Количество элементов на ИС

Length

6.5мм

Brand

Infineon

Series

OptiMOSв„ў ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

800 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Typical Gate Charge @ Vgs

4,5 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Base Product Number

BSP296 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

1.2A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.7nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

152.7pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 1.2A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-SOT223-4

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.8V @ 100ВµA

Длина

6.5мм

Серия

OptiMOS

Типичное время задержки выключения

18,4 нс

Тип корпуса

SOT-223

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.6мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

3,5 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

1.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

-0.8V

Число контактов

3+Tab

Категория

Малый сигнал

Типичный заряд затвора при Vgs

4,5 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

114,8 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Number of Elements per Chip

Maximum Power Dissipation

1,8 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.6мм

Maximum Drain Source Voltage

100 В

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Максимальное пороговое напряжение включения

1.8V

Техническая документация

Infineon-BSP296N-DS-v02_00-en , pdf , 570 КБ

BSP296NH6327XTSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 37 руб.

Техническая документация