STR2550, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 7 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23

Высоковольтный быстродействующий биполярный P-N-P транзистор. Напряжение коллектор-эмиттер -500 В; ток коллектора -500 мА; мощность рассеивания 500 мВт; корпус SOT-23
Корпус SOT-23-3

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1609391

Технические параметры

Вес, г

0.038

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Transistor Type

PNP

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-0.3 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

3.04mm

Maximum Collector Base Voltage

-500 V

Transistor Configuration

Single

Brand

STMicroelectronics

Maximum Collector Emitter Voltage

500 В

Package Type

SOT-23

Maximum Power Dissipation

500 mW

Width

1.75мм

Maximum DC Collector Current

500 мА

Height

1.3мм

Pin Count

Dimensions

3.04 x 1.75 x 1.3mm

Maximum Emitter Base Voltage

-7 V

Minimum DC Current Gain

Collector-Emitter Breakdown Voltage

500V

Pd - Power Dissipation

500mW

Максимальное напряжение коллектор-база

-500 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

PNP

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

500 В

Максимальный пост. ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение эмиттер-база

-7 В

Число контактов

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

-1 V

Тип корпуса

SOT-23

Страна происхождения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet , pdf , 530 КБ
Datasheet , pdf , 550 КБ

STR2550 - характеристики, поставщики

Последняя цена 7 руб.

Техническая документация