ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
AUIRFB8409 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
AUIRFB8409
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
AUIRFB8409
Последняя цена
260 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 195 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.3 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1609378
Технические параметры
Вес, г
2.645
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
TO-220AB
Transistor Material
Si
Length
10.67mm
Brand
Infineon
Series
COOLiRFET
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
300 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Base Product Number
AUIRFB8409 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
195A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
450nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14240pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
Power Dissipation (Max)
375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3mOhm @ 100A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250ВµA
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
195 A, 409 A
Maximum Power Dissipation
375 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
3.43mm
Height
9.02mm
Maximum Drain Source Resistance
1.3 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Техническая документация
auirfs8409 , pdf
, 399 КБ
