PMBTA45.215, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 12 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1, корпус: TO236

Transistor (BJT) - diskret Nexperia PMBTA45.215 SOT-23 1 NPN
Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 500 В, Ток коллектора 150 мА, Коэффициент усиления по току, min 50, Коэффициент усиления по току, max 100

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1609162

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.035

Base Product Number

PMBTA45 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

150mA

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 10V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

35MHz

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

300mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

90mV @ 6mA, 50mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

500V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

75 mV

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

3mm

Maximum Collector Base Voltage

500 V

Transistor Configuration

Single

Brand

Nexperia

Maximum Collector Emitter Voltage

500 V

Package Type

SOT-23

Maximum Power Dissipation

300 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.4mm

Maximum DC Collector Current

150 mA

Height

1.1mm

Pin Count

Dimensions

3 x 1.4 x 1.1mm

Maximum Emitter Base Voltage

6 V

Minimum DC Current Gain

Collector-Emitter Breakdown Voltage

500V

Pd - Power Dissipation

300mW

Pd - рассеивание мощности

300 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1 mm

Длина

3 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.5 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

500 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

500 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

0.15 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.4 mm

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

100

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

35 MHz

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

0.9 V

Техническая документация

BZV85_SER , pdf , 251 КБ
Datasheet PMBTA45,215 , pdf , 261 КБ
Datasheet PMBTA45.215 , pdf , 254 КБ

PMBTA45.215 - характеристики, поставщики

Последняя цена 12 руб.

Техническая документация