ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFS7437TRLPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFS7437TRLPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFS7437TRLPBF
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 800, корпус: TO263, АБ
N-CH 40V 180A 1.4mOhm TO263
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 195 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.8 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1609099
Технические параметры
Вес, г
2.072
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
D2PAK (TO-263)
Высота
4.83mm
Transistor Material
Кремний
Length
10.67мм
Brand
Infineon
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
150 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Серия
HEXFET
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
250 А
Maximum Power Dissipation
230 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
9.65mm
Maximum Drain Source Resistance
1.8 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Forward Diode Voltage
1.3V
Техническая документация
IRFS7437PBF , pdf
, 298 КБ
Datasheet , pdf
, 293 КБ
