IRFR7440TRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 60 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2000, корпус: TO252, АБ

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 40 В, Infineon
Диапазон дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1609098

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.593

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

DPAK (TO-252)

Максимальное рассеяние мощности

140 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

6.22 mm

Высота

2.3 mm

Количество элементов на ИС

Length

6.73мм

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Pin Count

Тип канала

Id - непрерывный ток утечки

90 A

Pd - рассеивание мощности

140 W

Qg - заряд затвора

89 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2.4 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

40 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.9 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

39 ns

Время спада

34 ns

Длина

6.5 mm

Другие названия товара №

SP001573310

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

StrongIRFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

280 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

51 ns

Типичное время задержки при включении

11 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-252-3

Тип

HEXFET Power MOSFET

Maximum Gate Threshold Voltage

3.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.2V

Типичный заряд затвора при Vgs

89 nC @ 20 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

90A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

140W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

40V

Vgs - Gate-Source Voltage

3.9V @ 100uA

Maximum Continuous Drain Current

180 A

Width

2.39mm

Height

6.22mm

Maximum Drain Source Resistance

2,4 мΩ

Channel Mode

Поднятие

Forward Diode Voltage

1.3V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 312 КБ
Datasheet , pdf , 293 КБ

IRFR7440TRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 60 руб.

Техническая документация