IRFR4510TRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 88 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2000, корпус: TO252, АБ

N-Ch 100V 56A 143W 0.0139R TO252AA
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 63 А, Сопротивление открытого канала (мин) 11.1 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1609097

Технические параметры

Вес, г

0.545

Series

HEXFETВ® ->

Base Product Number

IRFR4510 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

56A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3031pF @ 50V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Power Dissipation (Max)

143W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.9mOhm @ 38A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

D-Pak

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 100ВµA

Техническая документация

irfr4510pbf , pdf , 302 КБ
Datasheet IRFR4510TRPBF , pdf , 307 КБ

IRFR4510TRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 88 руб.

Техническая документация