IPW65R041CFDFKSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 940 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247, АБ

MOSFET, N CH, 700V, 68.5A, TO-247-3
Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 68.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 41 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1608881

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

7.967

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

TO-247

Ширина

5.21 mm

Высота

21.1 mm

Transistor Material

Length

16.13mm

Brand

Infineon

Series

CoolMOS CFD

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

300 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Base Product Number

IPW65R041 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

68.5A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

8400pF @ 100V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

Power Dissipation (Max)

500W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

41mOhm @ 33.1A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO247-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 3.3mA

Id - непрерывный ток утечки

68.5 A

Pd - рассеивание мощности

500 W

Qg - заряд затвора

300 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

37 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.5 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

28 ns

Время спада

8 ns

Длина

16.13 mm

Другие названия товара №

IPW65R041CFD IPW65R41CFDXK SP000756288

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

240

Серия

CoolMOS CFD2

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

127 ns

Типичное время задержки при включении

34 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-247-3

Упаковка

Tube

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

68 A

Maximum Power Dissipation

500 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

5.21mm

Height

21.1mm

Maximum Drain Source Resistance

41 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

700 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1130 КБ
Datasheet IPW65R041CFDFKSA1 , pdf , 1130 КБ

IPW65R041CFDFKSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 940 руб.

Техническая документация