2N7002P.215, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236

Корпус TO236

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1608795

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.041

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

360 мА

Package Type

SOT-23

Максимальное рассеяние мощности

420 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.4мм

Высота

1мм

Transistor Material

Количество элементов на ИС

Length

3мм

Brand

Nexperia

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

1,6 Ом

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

0.6 nC @ 4.5 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Base Product Number

2N7002 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

360mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.8nC @ 4.5V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

350mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

360 mA

Pd - рассеивание мощности

420 mW

Qg - заряд затвора

0.6 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.6 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

4 ns

Время спада

5 ns

Длина

3мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel Trench MOSFET

Типичное время задержки выключения

10 нс

Типичное время задержки при включении

3 ns

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-23-3

Продукт

MOSFET Small Signal

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Single

Типичное время задержки включения

3 нс

Производитель

Nexperia

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

0,6 нКл при 4,5 В

Типичная входная емкость при Vds

30 pF @ -10 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

360mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

350mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

2.4V @ 250uA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

360 mA

Maximum Power Dissipation

420 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.4мм

Height

1мм

Maximum Drain Source Resistance

1.6 Ω

Maximum Drain Source Voltage

60 В

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

Datasheet , pdf , 279 КБ
Datasheet 2N7002P.215 , pdf , 263 КБ
Datasheet , pdf , 312 КБ

2N7002P.215 - характеристики, поставщики

Последняя цена 3 руб.

Техническая документация