IRFI4510GPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 47 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FULLPAK3, АБ

Корпус TO220FULLPAK3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 35 А, Сопротивление открытого канала (мин) 13.5 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1608722

Технические параметры

Вес, г

2.84

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Максимальный непрерывный ток стока

35 А

Package Type

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Высота

9.8mm

Transistor Material

Количество элементов на ИС

Length

10.63mm

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

13 nC @ 50 V

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Through Hole

Длина

10.63mm

Тип корпуса

TO-220FP

Transistor Configuration

Single

Типичный заряд затвора при Vgs

13 nC @ 50 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Maximum Power Dissipation

42 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.83mm

Height

9.8mm

Maximum Drain Source Resistance

13.5 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.3V

Forward Transconductance

55s

Dimensions

10.63 x 4.83 x 9.8mm

Typical Turn-On Delay Time

16 ns

Typical Turn-Off Delay Time

54 ns

Техническая документация

irfi4510gpbf , pdf , 227 КБ

IRFI4510GPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 47 руб.

Техническая документация