ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SPP03N60C3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
SPP03N60C3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SPP03N60C3
Последняя цена
48 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ
Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.4 Ом
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1608447
Технические параметры
Вес, г
2.886
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
3.2A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
38W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
1.4О© @ 2A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
650V
Vgs - Gate-Source Voltage
3.9V @ 135uA
Техническая документация
Datasheet SPP03N60C3 , pdf
, 594 КБ
