ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STR1550 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STR1550
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
STR1550
Последняя цена
8 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23
Высоковольтный быстродействующий биполярный N-P-N транзистор. Напряжение коллектор-эмиттер 500 В; ток коллектора 500 мА; мощность рассеивания 500 мВт; корпус SOT-23
Корпус SOT-23-3
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1608431
Технические параметры
Вес, г
0.059
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.3 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04mm
Maximum Collector Base Voltage
500 В
Transistor Configuration
Single
Brand
STMicroelectronics
Maximum Collector Emitter Voltage
500 В
Package Type
SOT-23
Maximum Power Dissipation
500 mW
Width
1.75мм
Maximum DC Collector Current
500 мА
Height
1.3мм
Pin Count
3
Dimensions
3.04 x 1.75 x 1.3mm
Maximum Emitter Base Voltage
9 V
Minimum DC Current Gain
10
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
0.9 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 502 КБ