NTJD4105CT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 32 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов

корпус: SC-88/SC70-6/SOT-363, инфо: Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В/8 В, 0.27Вт

Массив Mosfet N и P-Channel 20 В, 8 В, 630 мА, 775 мА, 270 мВт, поверхностный монтаж SC-88 / SC70-6 / SOT-363

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1607074

Технические параметры

Вес, г

0.03

Base Product Number

NTJD4105 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

630mA, 775mA

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V, 8V

ECCN

EAR99

FET Type

N and P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 20V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Rds On (Max) @ Id, Vgs

375mOhm @ 630mA, 4.5V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SC-88/SC70-6/SOT-363

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250ВµA

FET Feature

Logic Level Gate

Power - Max

270mW

Техническая документация

Datasheet NTJD4105CT1G , pdf , 208 КБ

NTJD4105CT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 32 руб.

Техническая документация