MJB44H11G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 170 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

корпус: D2PAK, инфо: Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А, 50 Вт

Биполярные транзисторы - BJT 8A 80V 50W NPN

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1607072

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

2.25

Base Product Number

MJB44 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

10A

Current - Collector Cutoff (Max)

10ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 4A, 1V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

50MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Power - Max

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

DВІPAK

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1V @ 400mA, 8A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

80V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

1 MHz

Number of Elements per Chip

Length

10.29mm

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

80 V dc

Package Type

D2PAK

Maximum Power Dissipation

50 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

9.65mm

Maximum DC Collector Current

10 (Continuous) A, 20 (Peak) A

Height

4.83mm

Pin Count

3 + Tab

Dimensions

10.29 x 9.65 x 4.83mm

Maximum Emitter Base Voltage

5 В пост. тока

Minimum DC Current Gain

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

10.29 x 9.65 x 4.83мм

Pd - рассеивание мощности

50 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

4.83 mm (Max)

Длина

10.29 mm (Max)

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

10 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

5 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

10 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

Серия

MJB44H11

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-263-3

Ширина

9.65 mm (Max)

Квалификация

AEC-Q101

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

50 MHz

Количество элементов на ИС

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 V

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 V dc

Число контактов

3 + Tab

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1.5 V dc

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В пост. тока

Automotive Standard

AEC-Q101

Transistor Material

Техническая документация

Datasheet , pdf , 180 КБ
Datasheet , pdf , 114 КБ

MJB44H11G - характеристики, поставщики

Последняя цена 170 руб.

Техническая документация