BD244CG, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 140 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

корпус: TO-220AB, инфо: Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А, 65Вт

Биполярные транзисторы - BJT 6A 100V 65W PNP

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1607066

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

3.5

Base Product Number

BD244 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

700ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 3A, 4V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

3MHz

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power - Max

65W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 1A, 6A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

100V

Transistor Polarity

PNP

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.5 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

10.53mm

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

100 В пост. тока

Package Type

TO-220

Maximum Power Dissipation

65 W

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

4.83mm

Maximum DC Collector Current

6 A

Height

9.28мм

Pin Count

Dimensions

10.53 x 4.83 x 9.28mm

Maximum Emitter Base Voltage

5 В пост. тока

Minimum DC Current Gain

Pd - Power Dissipation

65 W

Тип транзистора

PNP

Размеры

10.53 x 4.83 x 9.28мм

Pd - рассеивание мощности

65 W

Вид монтажа

Through Hole

Высота

9.28mm

Длина

10.28 mm (Max)

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Одиночный

Максимальный постоянный ток коллектора

6 A

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

100 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

6 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

Серия

BD244C

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-220-3

Ширина

4.82 mm (Max)

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

3 MHz

Series

BD244C

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.5 V

Product Category

Bipolar Transistors - BJT

Configuration

Одинарный

Packaging

Tube

Число контактов

Manufacturer

ON Semiconductor

Maximum Continuous Collector Current

6 A

Collector- Base Voltage VCBO

100 V

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

100 V

Continuous Collector Current

6 A

DC Collector/Base Gain Hfe Min

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Factory Pack Quantity

Mounting Style

Through Hole

Product Type

BJTs - Bipolar Transistors

Subcategory

Transistors

Unit Weight

0.211644 oz

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Gain Bandwidth Product FT

3 MHz

Техническая документация

Datasheet , pdf , 240 КБ
Datasheet BD244CG , pdf , 95 КБ

BD244CG - характеристики, поставщики

Последняя цена 140 руб.

Техническая документация