IRL6342TRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 94 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: SO8, инфо: Полевой транзистор N-канальный 30В 9.9A 2.5Вт 0.0146Ом SO8

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 30 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1603222

Технические параметры

Вес, г

0.25

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

SOIC

Transistor Material

Length

5mm

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

11 nC @ 4.5 V

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Mounting Type

Surface Mount

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.5V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

9.9 A

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4mm

Height

1.5mm

Maximum Drain Source Resistance

19 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.2V

Forward Transconductance

38s

Dimensions

5 x 4 x 1.5mm

Typical Turn-On Delay Time

6 ns

Typical Turn-Off Delay Time

33 ns

Техническая документация

IRL6342PBF datasheet , pdf , 268 КБ

IRL6342TRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 94 руб.

Техническая документация