CSD18537NQ5A, Texas Instruments - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: 8-SON (5x6), инфо: Полевой транзистор N-канальный 60В 50A VSONP-8

МОП-транзистор 60V N-Channel NexFET Pwr МОП-транзистор

Информация

Производитель

Texas Instruments

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1602244

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.16

Ширина

4.9 mm

Высота

1 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

50 A

Pd - рассеивание мощности

3.2 W

Qg - заряд затвора

14 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

13 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

4 ns

Время спада

3.2 ns

Длина

6 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

NexFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

62 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

CSD18537NQ5A

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

14.4 ns

Типичное время задержки при включении

5.8 ns

Торговая марка

Texas Instruments

Упаковка / блок

VSONP-8

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

11A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

3.2W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

3.5V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 725 КБ
Datasheet CSD18537NQ5A , pdf , 695 КБ

CSD18537NQ5A - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация