BD13510STU, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 59 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

корпус: TO-126, инфо: Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 1.5 А, 1.25Вт

Малосигнальные NPN-транзисторы, 40–50 В, Fairchild Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1601838

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

1.42

Base Product Number

BD135 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

1.5A

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-225AA, TO-126-3

Power - Max

1.25W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-126-3

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

8.3мм

Maximum Collector Base Voltage

45 V

Transistor Configuration

Одиночный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

45 V

Package Type

TO-126

Maximum Power Dissipation

12.5 W

Width

3.45mm

Maximum DC Collector Current

1.5 A

Height

11.2мм

Pin Count

Dimensions

8.3 x 3.45 x 11.2mm

Maximum Emitter Base Voltage

5 В

Minimum DC Current Gain

Максимальное напряжение коллектор-база

45 В

Тип транзистора

NPN

Размеры

8.3 x 3.45 x 11.2мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,5 В

Тип корпуса

TO-126

Техническая документация

Datasheet , pdf , 136 КБ
BD135 / 137 / 139 datasheet , pdf , 42 КБ

BD13510STU - характеристики, поставщики

Последняя цена 59 руб.

Техническая документация