ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF5305STRLPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF5305STRLPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF5305STRLPBF
Последняя цена
140 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: D2PAK, инфо: Полевой транзистор, P-канальный, 55 В, 31 А, 110Вт
P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon
Infineon, предлагает линейку дискретных мощных МОП-транзисторов HEXFET®, включая P-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также форм-факторах, которые подходят почти для всех любая компоновка платы и задача теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1600877
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
2.22
Максимальный непрерывный ток стока
31 A
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Высота
4.83мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
60 МОм
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
A, P
Длина
10.67мм
Серия
HEXFET
Типичное время задержки выключения
39 нс
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
14 ns
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
63 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
1200 pF @ -25 V
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
31A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
3.8W
Rds On - Drain-Source Resistance
60mО© @ 16A,10V
Transistor Polarity
P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
55V
Vgs - Gate-Source Voltage
4V @ 250uA
Техническая документация
Datasheet IRF5305S, IRF5305L , pdf
, 701 КБ
