FQP6N60C, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 150 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: TO-220, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 5.5 А

Корпус TO-220-3

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1599517

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

2.82

Ширина

4.7 mm

Высота

16.3 mm

Series

QFETВ® ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

FQP6 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

5.5A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

810pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

125W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 2.75A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

5.5 A

Pd - рассеивание мощности

125 W

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

45 ns

Время спада

45 ns

Длина

10.67 mm

Другие названия товара №

FQP6N60C_NL

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

4.8 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

FQP6N60C

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

45 ns

Типичное время задержки при включении

15 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

TO-220-3

Тип

MOSFET

Упаковка

Tube

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

5.5A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

125W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet FQP6N60C , pdf , 1048 КБ
Datasheet FQP6N60C , pdf , 1049 КБ
Datasheet , pdf , 1047 КБ

FQP6N60C - характеристики, поставщики

Последняя цена 150 руб.

Техническая документация