MMBT6428LT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 24 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

корпус: SOT-23-3 (TO-236), инфо: Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.2 А, 0.225Вт

Малосигнальные NPN-транзисторы, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1597457

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.03

Base Product Number

MMBT6428 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

200mA

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

250 @ 100ВµA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

700MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

225mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.6 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

100 MHz

Number of Elements per Chip

Length

3.04mm

Maximum Collector Base Voltage

60 V dc

Transistor Configuration

Single

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

50 V

Package Type

SOT-23

Maximum Power Dissipation

225 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

2.64mm

Maximum DC Collector Current

200mA

Height

1.11mm

Pin Count

Dimensions

3.04 x 2.64 x 1.11mm

Maximum Emitter Base Voltage

6 V

Minimum DC Current Gain

250

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Pd - Power Dissipation

225mW

Pd - рассеивание мощности

225 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.94 mm

Длина

2.9 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

250

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.2 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

40 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

0.2 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

MMBT6428L

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3 mm

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

650

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

700 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.6 V

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

NPN

Product Category

Bipolar Small Signal

Material

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.6@5mA@100mA|0.2@0.5mA@10mA

Maximum DC Collector Current (A)

0.2

Maximum Collector Cut-Off Current (nA)

Maximum Power Dissipation (mW)

300

Maximum Transition Frequency (MHz)

700

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-23

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

0.94

Package Length

2.9

Package Width

1.3

PCB changed

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

0.66 V dc

Техническая документация

Datasheet MMBT6428LT1G , pdf , 83 КБ
Datasheet , pdf , 151 КБ
Datasheet , pdf , 86 КБ

MMBT6428LT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 24 руб.

Техническая документация