ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP9N60M2 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP9N60M2
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP9N60M2
Последняя цена
180 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: TO-220, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 5.5 А, 60Вт
Серия N-канальных MDmesh ™ M2, STMicroelectronics
Серия высоковольтных силовых полевых МОП-транзисторов от STMicroelecronics. Благодаря низкому заряду затвора и отличным характеристикам выходной емкости серия MDmesh M2 идеально подходит для использования в импульсных источниках питания резонансного типа (LLC-преобразователи).
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1597054
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 C
Вес, г
2.74
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
5,5 А
Package Type
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
60 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.6мм
Transistor Material
Si
Количество элементов на ИС
1
Length
10.4mm
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
STMicroelectronics
Series
MDmesh M2
Минимальная рабочая температура
-55 C
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Mounting Type
Through Hole
Серия
MDmesh M2
Тип корпуса
TO-220
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
10 нКл при 10 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
5.5 A
Maximum Power Dissipation
60 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.6mm
Height
15.75mm
Maximum Drain Source Resistance
780 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Страна происхождения
CN
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1681 КБ
Datasheet , pdf
, 1474 КБ
