SI1029X-T1-GE3, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 56 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов

корпус: SC-89-6, инфо: Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 60 В, 305 мА, 0.28Вт

МОП-транзистор с двойным каналом N / P, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1592055

Технические параметры

Вес, г

0.15

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

SOT-523 (SC-89)

Высота

0.6мм

Transistor Material

Кремний

Length

1.7мм

Brand

Vishay

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

1700 nC @ 15 V, 750 nC @ 4.5 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Transistor Configuration

Isolated

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

190 mA, 300 mA

Maximum Power Dissipation

250 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.7мм

Maximum Drain Source Resistance

3 Ω, 8 Ω

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

N, P

Configuration

Dual

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant

Maximum Continuous Drain Current (A)

0.19@P Channel|0.305@N Channel

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

1400@10V@N Channel|4000@10V@P Channel

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

280

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Packaging

Tape and Reel

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

Supplier Package

SC-89

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

30@25V@N Channel|23@25V@P Channel

HTS

8541.29.00.95

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

0.75@4.5V@N Channel|1.7@15V@P Channel

Automotive

Military

Package Height

0.6(Max)

Package Length

1.7(Max)

Package Width

1.2

Process Technology

TrenchFET

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

2.5@N Channel|3@P Channel

Maximum Positive Gate Source Voltage (V)

Maximum Diode Forward Voltage (V)

1.4

Operating Junction Temperature (°C)

-55 to 150

Техническая документация

Datasheet SI1029XT1GE3 , pdf , 168 КБ
Datasheet SI1029X-T1-GE3 , pdf , 157 КБ

SI1029X-T1-GE3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 56 руб.

Техническая документация