IRFR024PBF, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 110 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: D-Pak, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 14 А, 42Вт

МОП-транзистор N-Chan 60V 14 Amp

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1587371

Технические параметры

Вес, г

0.6

Ширина

6.22 mm

Высота

2.38 mm

Pin Count

Вид монтажа

SMD/SMT

Длина

6.73 mm

Категория продукта

МОП-транзистор

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

IRFR/U

Технология

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Упаковка / блок

TO-252-3

Упаковка

Tube

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Single

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant with Exemption

Maximum Continuous Drain Current (A)

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

100@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

2500

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

TO-252

Supplier Package

DPAK

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

640@25V

HTS

8541.29.00.95

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

25(Max)@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

25(Max)

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Automotive

Military

Package Height

2.39(Max)

Package Length

6.73(Max)

Package Width

6.22(Max)

Tab

Process Technology

HEXFET

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

Typical Gate to Drain Charge (nC)

11(Max)

Typical Gate to Source Charge (nC)

5.8(Max)

Typical Reverse Recovery Charge (nC)

290

Typical Output Capacitance (pF)

360

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1042 КБ

IRFR024PBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 110 руб.

Техническая документация