ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTHD3101FT1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NTHD3101FT1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NTHD3101FT1G
Последняя цена
160 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор -20V -4.4A P-Channel w/4.1A Schottky
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1550929
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
P-Channel
Вес, г
0.085
Ширина
1.65 mm
Высота
1.05 mm
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
NTHD3101 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
3.2A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
ECCN
EAR99
FET Type
P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.4nC @ 4.5V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
680pF @ 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
8-SMD, Flat Lead
Power Dissipation (Max)
1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 3.2A, 4.5V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
ChipFETв„ў
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250ВµA
FET Feature
Schottky Diode (Isolated)
Id - непрерывный ток утечки
4.4 A
Pd - рассеивание мощности
1.1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
64 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V
Vgs - напряжение затвор-исток
8 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
11.7 ns
Время спада
12.4 ns
Длина
3.05 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single with Schottky Diode
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
8 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
NTHD3101F
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
16 ns
Типичное время задержки при включении
5.8 ns
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
ChipFET-8
Продукт
MOSFET Small Signal
Тип
MOSFET
Техническая документация
Datasheet NTHD3101FT1G , pdf
, 135 КБ
Datasheet NTHD3101FT1G , pdf
, 210 КБ
