ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SI7430DP-T1-GE3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SI7430DP-T1-GE3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SI7430DP-T1-GE3
Последняя цена
490 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1544168
Технические параметры
Вес, г
0.5066
Ширина
5.15 mm
Высота
1.04 mm
Вид монтажа
SMD/SMT
Длина
6.15 mm
Другие названия товара №
SI7430DP-GE3
Категория продукта
МОП-транзистор
Коммерческое обозначение
TrenchFET
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
SI7
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Vishay / Siliconix
Упаковка / блок
PowerPAK-SO-8
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
26A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
5.2W
Rds On - Drain-Source Resistance
45mО© @ 5A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
150V
Vgs - Gate-Source Voltage
4.5V @ 250uA
Техническая документация
Datasheet SI7430DP-T1-GE3 , pdf
, 316 КБ
Datasheet SI7430DP-T1-GE3 , pdf
, 320 КБ
Datasheet SI7430DP-T1-E3 , pdf
, 319 КБ