ZXTP25100BFHTA, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 29 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 110, корпус: TO236, АБ

Транзисторы общего назначения PNP, более 1,5 А, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1543511

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.038

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

140 V

Тип монтажа

Surface Mount

Тип транзистора

PNP

Размеры

3.05 x 1.4 x 1мм

Pd - рассеивание мощности

1810 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1мм

Длина

3.05

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

2 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

140 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

100 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

7 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

ZXTP25100

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.4мм

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

200 MHz

Технология

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-0,295 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

1.81 W

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

215 mV

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальный пост. ток коллектора

2 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

7 В

Максимальная рабочая частота

200 MHz

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

-1 V

Производитель

DiodesZetex

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Техническая документация

Datasheet ZXTP25100BFHTA , pdf , 939 КБ

ZXTP25100BFHTA - характеристики, поставщики

Последняя цена 29 руб.

Техническая документация