BC847ALT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Type: Bipolar; Transistor Polarity: NPN; Voltage, Vceo: 45V; Current, Ic Continuous a Max: 100mA; Voltage, Vce Sat Max: 0.6V; Power Dissipation: 300mW; ft, Typ: 100MHz; Case Style: SOT-23; Termination Type: SMD; Pins, No. of: 3; Frequency, Test: 1kHz; Noise: 10dB
Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 110, Коэффициент усиления по току, max 220

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1538680

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.031

Base Product Number

BC847 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

300mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.6 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

100 MHz

Number of Elements per Chip

Length

3.04mm

Maximum Collector Base Voltage

50 V dc

Transistor Configuration

Single

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

45 V

Package Type

SOT-23

Maximum Power Dissipation

300 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

2.64mm

Maximum DC Collector Current

100 mA

Height

1.11mm

Pin Count

Dimensions

3.04 x 2.64 x 1.11mm

Maximum Emitter Base Voltage

6 V

Minimum DC Current Gain

110

Pd - рассеивание мощности

225 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.94 mm

Длина

2.9 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC847AL

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3 mm

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.6 V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 112 КБ
Datasheet , pdf , 237 КБ
Datasheet , pdf , 214 КБ

BC847ALT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 1 руб.

Техническая документация