ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SI4490DY-T1-GE3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SI4490DY-T1-GE3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SI4490DY-T1-GE3
Последняя цена
350 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 200V Vds 20V Vgs SO-8
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1535696
Технические параметры
Вес, г
0.5066
Ширина
3.9 mm
Высота
1.75 mm
Pin Count
8
Вид монтажа
SMD/SMT
Длина
4.9 mm
Другие названия товара №
SI4490DY-GE3
Категория продукта
МОП-транзистор
Коммерческое обозначение
TrenchFET
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2500
Серия
SI4
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Vishay / Siliconix
Упаковка / блок
SO-8
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single Quad Drain Triple Source
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant
Lead Shape
Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)
2.85
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
80@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)
200
Maximum Gate Source Voltage (V)
±20
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
3100
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Part Status
Active
PCB changed
8
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
SOP
Supplier Package
SOIC N
HTS
8541.29.00.95
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
34@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
34
Typical Fall Time (ns)
25
Typical Rise Time (ns)
20
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
32
Typical Turn-On Delay Time (ns)
14
Automotive
No
Military
No
Package Height
1.55(Max)
Package Length
5(Max)
Package Width
4(Max)
Process Technology
TrenchFET
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 164 КБ
Datasheet SI4490DY-T1-GE3 , pdf
, 229 КБ
Datasheet SI4490DY-T1-GE3 , pdf
, 163 КБ