ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FCX1149ATA - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
FCX1149ATA
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
FCX1149ATA
Последняя цена
54 руб.
Сравнить
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Биполярный (BJT) транзистор PNP 25V 3A 135MHz 2W Surface Mount SOT-89-3
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1535056
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
PNP
Base Product Number
FCX1149 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
3A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
250 @ 500mA, 2V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
135MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-243AA
Power - Max
2W
REACH Status
REACH Affected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-89-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
350mV @ 140mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25V
Number of Elements per Chip
1
Pin Count
4
Minimum DC Current Gain
270@10mA@2V|250@500mA@2V|150@3A@2V|115@5A@2V
Pd - рассеивание мощности
2000 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.6 mm (Max)
Длина
4.6 mm (Max)
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
270 at 10 mA at 2 V, 250 at 500 mA at 2 V, 150 at
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
3 A
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
25 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
3 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
FCX11
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-89-3
Ширина
2.6 mm (Max)
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
270
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
135 MHz
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
230 mV
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.75
Type
PNP
Product Category
Bipolar Power
Material
Si
Configuration
Single Dual Collector
Maximum Collector Base Voltage (V)
30
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
25
Maximum Emitter Base Voltage (V)
5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
1.05@100mA@3A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.08@1mA@0.1A|0.24@7mA@1A|0.17@3mA@0.5A|0.3@100mA@3A|0.35@140mA@4A
Maximum DC Collector Current (A)
3
Maximum Power Dissipation (mW)
2000
Maximum Transition Frequency (MHz)
135(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Standard Package Name
SOT
Supplier Package
SOT-89
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
1.6(Max)
Package Length
4.6(Max)
Package Width
2.6(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Flat
Техническая документация
Datasheet FCX1149ATA , pdf
, 279 КБ
Datasheet FCX1149ATA , pdf
, 107 КБ