ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZXTN2007ZTA - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZXTN2007ZTA
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
ZXTN2007ZTA
Последняя цена
63 руб.
Сравнить
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Биполярный (BJT) транзистор NPN 30V 6A 140MHz 2,1W Surface Mount SOT-89-3
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1533570
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Base Product Number
ZXTN2007 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
6A
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 1V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
140MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-243AA
Power - Max
2.1W
REACH Status
REACH Affected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-89-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
190mV @ 300mA, 6.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30V
Number of Elements per Chip
1
Maximum DC Collector Current
6A
Pin Count
4
Minimum DC Current Gain
100@10mA@1V|100@1A@1V|100@7A@1V|20@20A@1V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Pd - Power Dissipation
2.1W
Pd - рассеивание мощности
2100 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.5 mm
Длина
4.5 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
6 A
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
30 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7 V
Непрерывный коллекторный ток
6 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
ZXTN2007
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-89-3
Ширина
2.48 mm
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
140 MHz
Технология
Si
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.75
Type
NPN
Product Category
Bipolar Power
Configuration
Single Dual Collector
Maximum Collector Base Voltage (V)
80
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
Maximum Emitter Base Voltage (V)
7
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
1.1@300mA@6.5A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.045@100mA@1A|0.19@300mA@6.5A|0.06@20mA@1A|0.035@20mA@0.5A|0.115@20mA@2A
Maximum DC Collector Current (A)
6
Maximum Power Dissipation (mW)
2100
Maximum Transition Frequency (MHz)
140(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Standard Package Name
SOT
Supplier Package
SOT-89
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
1.6(Max)
Package Length
4.6(Max)
Package Width
2.6(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Flat
Техническая документация
Datasheet ZXTN2007ZTA , pdf
, 135 КБ
Datasheet , pdf
, 136 КБ