STD4NK60ZT4, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 31 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252

MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4 А; Rси(вкл): 1.76 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2 Ом

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1533204

Технические параметры

Вес, г

0.58

Pin Count

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Single

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant with Exemption

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Continuous Drain Current (A)

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

2000@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

600

Maximum Gate Source Voltage (V)

±30

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

70000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Packaging

Tape and Reel

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

TO-252

Supplier Package

DPAK

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

510@25V

HTS

8541.29.00.95

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

18.8@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

18.8

Typical Fall Time (ns)

16.5

Typical Rise Time (ns)

9.5

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Automotive

Military

Package Height

2.4(Max)

Package Length

6.6(Max)

Package Width

6.2(Max)

Tab

Process Technology

SuperMESH

Техническая документация

Datasheet STD4NK60ZT4 , pdf , 1071 КБ

STD4NK60ZT4 - характеристики, поставщики

Последняя цена 31 руб.

Техническая документация